• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 3.7pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 11.5
• Параметры коэфициента емкости: C2/C20
• Добротность @ Vr, F: 2000 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 27 V
• Добротность @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Stud Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Stud
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 5.6pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 30V
• Коэфициент емкости: 4
• Параметры коэфициента емкости: C0/C30
• Добротность @ Vr, F: 2600 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 33pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 60V
• Коэфициент емкости: 7
• Параметры коэфициента емкости: C0/C60
• Добротность @ Vr, F: 800 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: GIGAMITE®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: 0805 (2012 Metric)
• Тип корпуса: 0805
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.75pF @ 30V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 30V
• Коэфициент емкости: 3.4
• Параметры коэфициента емкости: C0/C30
• Добротность @ Vr, F: 3800 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 2.2pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 30V
• Коэфициент емкости: 4.6
• Параметры коэфициента емкости: C0/C30
• Добротность @ Vr, F: 4000 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 2.2pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 15V
• Коэфициент емкости: 3.4
• Параметры коэфициента емкости: C0/C15
• Добротность @ Vr, F: 4000 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 3.9
• Параметры коэфициента емкости: C2/C20
• Добротность @ Vr, F: 4000 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.45pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Добротность @ Vr, F: 1200 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: 2-SMD, No Lead
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 6V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 20V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 14.5pF @ 3V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 27 V
• Добротность @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: GCX1208
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип диода: 1 Pair Common Cathode
• Емкость @ Vr, F: 3.9pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 30V
• Коэфициент емкости: 3.9
• Параметры коэфициента емкости: C0/C30
• Добротность @ Vr, F: 2500 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: 2-SMD, No Lead
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 20V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 13
• Параметры коэфициента емкости: C0/C20
• Добротность @ Vr, F: 900 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 6.8pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 22V
• Коэфициент емкости: 12.6
• Параметры коэфициента емкости: C2/C20
• Добротность @ Vr, F: 1500 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип диода: 1 Pair Common Cathode
• Емкость @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 27 V
• Добротность @ Vr, F: 500 @ 4V, 50MHz