Варикапы, варакторы Microchip Technology | Диоды

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 259

GC15007-150A

SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.2pF @ 20V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 13
- Параметры коэфициента емкости: C0/C20
- Добротность @ Vr, F: 1000 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MV31016-P00

GAAS TVAR NON HERMETIC CHIP

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 1.8pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 9.6
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MV31020-P00

GAAS TVAR NON HERMETIC CHIP

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 3.3pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 11.3
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 2000 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
GC15005-79

SI TVAR HERMETIC PILL

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: 2-SMD, No Lead
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.4pF @ 20V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 8
- Параметры коэфициента емкости: C0/C15
- Добротность @ Vr, F: 900 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MV31022-150A

GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 4.7pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 12
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 1500 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
KV1913A-150A/TR

SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 6.2pF @ 8V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 12V
- Добротность @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MV31026-150A

GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 13.1
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 1500 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
GC2530-30

SI SRD HERMETIC PILL

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Stud Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: Stud
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 6V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
GCX1206-23-0

SI TVAR NON HERMETIC PLASTIC SMT

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: GCX1206
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.7pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 3.7
- Параметры коэфициента емкости: C0/C30
- Добротность @ Vr, F: 2500 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
GC1513-192

SI TVAR NON HERMETIC MICROSTRIP

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 4.2
- Параметры коэфициента емкости: C0/C30
- Добротность @ Vr, F: 2200 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
GC15006-150A

SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.14pF @ 20V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 13
- Параметры коэфициента емкости: C0/C20
- Добротность @ Vr, F: 1200 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
GC1610-85

SI TVAR HERMETIC PILL

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 5.6pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 45V
- Коэфициент емкости: 5.5
- Параметры коэфициента емкости: C0/C45
- Добротность @ Vr, F: 1700 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
GC15006-00

SI TVAR NON HERMETIC CHIP

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: GC15000
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.14pF @ 20V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 13
- Параметры коэфициента емкости: C0/C20
- Добротность @ Vr, F: 1200 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MV21005-128A

GAAS TVAR NON HERMETIC MICROSTRI

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.8pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 3.8
- Параметры коэфициента емкости: C0/C30
- Добротность @ Vr, F: 6000 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MV31026-154-4/TR

GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 13.1
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 1500 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по:

	Значение	Кол‑во
	0402 ⇒	4
	0805 ⇒	9
	Chip ⇒	136
	DO-34 ⇒	2
	SOT-23-3 ⇒	31

Тип корпуса (5)