Найдено: 259
  • SI TVAR HERMETIC PILL
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 1.2pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 45V
    • Коэфициент емкости: 4.5
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C45
    • Добротность @ Vr, F: 2800 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAAS TVAR HERMETIC MICROSTRIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 3.3pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 11.3
    • Параметры коэфициента емкости: C2/C20
    • Добротность @ Vr, F: 2000 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAAS TVAR HERMETIC MICROSTRIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 2.5pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 15V
    • Коэфициент емкости: 4.3
    • Параметры коэфициента емкости: C2/C12
    • Добротность @ Vr, F: 2500 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.25pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 4
    • Параметры коэфициента емкости: C4/C20
    • Добротность @ Vr, F: 1200 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 1.5pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 30V
    • Коэфициент емкости: 3.5
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C30
    • Добротность @ Vr, F: 3600 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.45pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Добротность @ Vr, F: 1200 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC MMSM
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: MPV
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: 0402 (1005 Metric)
    • Тип корпуса: 0402
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 1.5pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 10
    • Добротность @ Vr, F: 1500 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 3.7pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 11.5
    • Параметры коэфициента емкости: C2/C20
    • Добротность @ Vr, F: 2000 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 2pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 9.9
    • Параметры коэфициента емкости: C2/C20
    • Добротность @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 30V
    • Коэфициент емкости: 4.2
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C30
    • Добротность @ Vr, F: 5000 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI SRD HERMETIC MICROSTRIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 2pF @ 6V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 40V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAAS TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI SRD HERMETIC PILL
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: 2-SMD, No Lead
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 6V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 15V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR HERMETIC GLASS AXIAL
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
    • Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 10.6pF @ 10V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 12V
    • Коэфициент емкости: 17.5
    • Параметры коэфициента емкости: C2/C10
    • Добротность @ Vr, F: 130 @ 2V, 10MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAAS TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 1.2pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 8.3
    • Параметры коэфициента емкости: C2/C20
    • Добротность @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: