• Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 206
  • 1N4448_T50R
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 5µA @ 75V
    • Емкость @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDH444
    DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 125V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 300mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 60ns
    • Ток утечки: 50nA @ 100V
    • Емкость @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N916A
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 20mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 5µA @ 75V
    • Емкость @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BAT54-D87Z
    30V SOT23 SCHOTTKY DIODE
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 800mV @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 5ns
    • Ток утечки: 2µA @ 25V
    • Емкость @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SBAS16WT1G
    DIODE GEN PURP 75V 200MA SC70
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70-3 (SOT323)
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 75V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1.25V @ 150mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 6ns
    • Ток утечки: 1µA @ 75V
    • Емкость @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMBD914_D87Z
    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 10mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 5µA @ 75V
    • Емкость @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N4448_T26A
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 5µA @ 75V
    • Емкость @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N4454_S00Z
    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 10mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 100nA @ 50V
    • Емкость @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BAY71TR
    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 20mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 100nA @ 35V
    • Емкость @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BAT42XV2
    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523F
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-79, SOD-523F
    • Тип корпуса: SOD-523F
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 200mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 5ns
    • Ток утечки: 500nA @ 25V
    • Емкость @ Vr, F: 7pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N4448
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 5µA @ 75V
    • Емкость @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N4454_T50R
    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 10mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 100nA @ 50V
    • Емкость @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N486B-T50A
    DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 250V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 50nA @ 225V
    • Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N4454
    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 10mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 100nA @ 50V
    • Емкость @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMSD914
    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOD-123
    • Тип корпуса: SOD-123
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 10mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 5µA @ 75V
    • Емкость @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100