Найдено: 35
  • DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: PG-TO247-3-41
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 400µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2
    • Тип корпуса: PG-TO220-2-2
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 350µA @ 600V
    • Емкость @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Sawn on foil
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.6V @ 10A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 27µA @ 1200V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Sawn on foil
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.25V @ 10A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 27µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: PG-TO247-3-41
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.8V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 240µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 580pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: PG-TO247-3
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 180µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IDH10SG60 - COOLSIC SCHOTTKY DIO
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2
    • Тип корпуса: PG-TO220-2-2
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 2.1V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 90µA @ 600V
    • Емкость @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SWITCHING 600V WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.25V @ 10A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 27µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 650V 10A VSON-4
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 4-PowerTSFN
    • Тип корпуса: PG-VSON-4
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 180µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO252-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: PG-TO252-3
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 2.1V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 90µA @ 600V
    • Емкость @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: Automotive, AEC-Q100/101, CoolSiC™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: PG-TO247-3-41
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 60µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 303pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Sawn on foil
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.95V @ 10A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 27µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 650V 10A VSON-4
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 4-PowerTSFN
    • Тип корпуса: PG-VSON-4
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 180µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SILICON 300V 10A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Sawn on foil
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 300V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 200µA @ 300V
    • Емкость @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SWITCHING 600V 10A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.95V @ 10A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 27µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: