• Производитель
  • Средний выпрямленный ток (Io)
Найдено: 1782
  • 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Серия: SiC Schottky MPS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 19A (DC)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 50V 60A DO5
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
    • Тип корпуса: DO-5
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 60A
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 60A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 10µA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 200°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 80V 250A 3TOWER
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Three Tower
    • Тип корпуса: Three Tower
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
    • Прямое напряжение: 840mV @ 250A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 80V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 250A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP REV 200V 70A DO5
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
    • Тип корпуса: DO-5
    • Тип диода: Standard, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 70A
    • Прямое напряжение: 1V @ 70A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 75ns
    • Ток утечки: 25µA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Three Tower
    • Тип корпуса: Three Tower
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 300A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 25µA @ 200V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Series Connection
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 300A (DC)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 150V 250A TO244AB
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: TO-244AB
    • Тип корпуса: TO-244AB
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
    • Прямое напряжение: 880mV @ 250A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 150V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 250A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 100V 70A DO5
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
    • Тип корпуса: DO-5
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 70A
    • Прямое напряжение: 1.4V @ 70A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 500ns
    • Ток утечки: 25µA @ 100V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 40V 35A D61-3M
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: D61-3M
    • Тип корпуса: D61-3M
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Прямое напряжение: 700mV @ 35A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 40V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 35A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
    • Тип корпуса: DO-205AA (DO-8)
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 150A
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 150A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 10µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 200°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 400V 16A DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 16A
    • Прямое напряжение: 900mV @ 16A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 200ns
    • Ток утечки: 25µA @ 100V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Three Tower
    • Тип корпуса: Three Tower
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Прямое напряжение: 880mV @ 200A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 20V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 20V 120A D-67
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: D-67
    • Тип корпуса: D-67
    • Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 20V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 120A
    • Прямое напряжение: 650mV @ 120A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 4mA @ 20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 100V 250A TO244AB
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: TO-244AB
    • Тип корпуса: TO-244AB
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Прямое напряжение: 840mV @ 250A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 100V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 250A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 45V 200A 3 TOWER
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Three Tower
    • Тип корпуса: Three Tower
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
    • Прямое напряжение: 600mV @ 200A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 5mA @ 45V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 30V 120A D-67
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: D-67
    • Тип корпуса: D-67
    • Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 120A
    • Прямое напряжение: 650mV @ 120A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 4mA @ 20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: