- Средний выпрямленный ток (Io)
- Производитель
-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: Powermite®3
- Тип корпуса: Powermite 3
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 510mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 300µA @ 35V
- Емкость @ Vr, F: 700pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220-2
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 40µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: R-6, Axial
- Тип корпуса: R-6
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 150ns
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
- Тип корпуса: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 720mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 70µA @ 100V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: TO-263AB (D²PAK)
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.33V @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 310ns
- Ток утечки: 100µA @ 1000V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 90V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 800mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 100µA @ 90V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: ITO-220AC
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 975mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 35ns
- Ток утечки: 10µA @ 50V
- Емкость @ Vr, F: 170pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: TO-263AB (D²PAK)
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 35V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 840mV @ 20A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 100µA @ 35V
- Емкость @ Vr, F: 600pF @ 5V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: R-6, Axial
- Тип корпуса: R-6
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 500ns
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Серия: Automotive, AEC-Q101, SBR®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252, (D-Pak)
- Тип диода: Super Barrier
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 520mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 400µA @ 60V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 990mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 100µA @ 200V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 10A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 50µA @ 1200V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 550mV @ 5A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 500µA @ 40V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 125°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: LPDS
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 2.1V @ 5A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 40ns
- Ток утечки: 10µA @ 800V
- Рабочая температура перехода: 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: WeEn Semiconductors
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-2
- Тип корпуса: TO-247-2
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.65V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 110µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100