Полупроводники, Диоды, Выпрямители 10A (DC)

• Производитель: UnitedSiC
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-247-2
• Тип корпуса: TO-247-2
• Тип диода: Silicon Carbide Schottky
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
• Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
• Прямое напряжение: 1.6V @ 10A
• Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Время обратного восстановления (trr): 0ns
• Ток утечки: 110µA @ 1200V
• Емкость @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
• Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C

• Производитель: Rohm Semiconductor
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: TO-263AB
• Тип диода: Silicon Carbide Schottky
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
• Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
• Прямое напряжение: 1.55V @ 10A
• Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Время обратного восстановления (trr): 0ns
• Ток утечки: 200µA @ 600V
• Емкость @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
• Рабочая температура перехода: 175°C (Max)

• Производитель: Renesas Electronics America
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-220-2 Full Pack
• Тип корпуса: TO-220FP-2L
• Тип диода: Standard
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
• Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
• Прямое напряжение: 3V @ 10A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Время обратного восстановления (trr): 25ns
• Ток утечки: 1µA @ 600V
• Рабочая температура перехода: 150°C (Max)

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-220-2
• Тип корпуса: TO-220 [K]
• Тип диода: Silicon Carbide Schottky
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
• Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
• Прямое напряжение: 1.5V @ 10A
• Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Время обратного восстановления (trr): 0ns

• Производитель: Panjit International Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-220-2
• Тип корпуса: TO-220AC
• Тип диода: Silicon Carbide Schottky
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
• Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
• Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
• Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Время обратного восстановления (trr): 0ns
• Ток утечки: 70µA @ 650V
• Емкость @ Vr, F: 364pF @ 1V, 1MHz
• Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C

• Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: DO-214AB, SMC
• Тип корпуса: DO-214AB (SMC)
• Тип диода: Standard
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
• Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
• Прямое напряжение: 1.1V @ 10A
• Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 1µA @ 600V
• Емкость @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
• Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: CoolSiC™+
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: PG-TO263-2
• Тип диода: Silicon Carbide Schottky
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
• Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
• Прямое напряжение: 1.8V @ 10A
• Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Время обратного восстановления (trr): 0ns
• Ток утечки: 1.7mA @ 650V
• Емкость @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
• Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C

• Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: L-FLAT™
• Тип корпуса: L-FLAT™ (4x5.5)
• Тип диода: Schottky
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
• Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
• Прямое напряжение: 0.58V @ 10A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 1mA @ 60V
• Емкость @ Vr, F: 345pF @ 10V, 1MHz
• Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C

• Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: DO-214AB, SMC
• Тип корпуса: DO-214AB (SMC)
• Тип диода: Standard
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
• Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
• Прямое напряжение: 1.1V @ 10A
• Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 1µA @ 1000V
• Емкость @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
• Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C

• Производитель: Renesas Electronics America
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-220-2 Full Pack
• Тип корпуса: TO-220FP-2L
• Тип диода: Silicon Carbide Schottky
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
• Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
• Прямое напряжение: 1.8V @ 10A
• Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Время обратного восстановления (trr): 0ns
• Ток утечки: 10µA @ 600V
• Рабочая температура перехода: 150°C (Max)

• Производитель: Renesas Electronics America
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-220-2 Full Pack
• Тип корпуса: TO-220FP-2L
• Тип диода: Standard
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 360V
• Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
• Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Время обратного восстановления (trr): 25ns
• Ток утечки: 1µA @ 360V
• Рабочая температура перехода: 150°C (Max)

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: CoolSiC™+
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-220-2
• Тип корпуса: PG-TO220-2-2
• Тип диода: Silicon Carbide Schottky
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
• Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
• Прямое напряжение: 1.8V @ 10A
• Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Время обратного восстановления (trr): 0ns
• Ток утечки: 240µA @ 1200V
• Емкость @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
• Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Серия: CoolSiC™+
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: PG-TO247-3-41
• Тип диода: Silicon Carbide Schottky
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1.2V
• Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
• Прямое напряжение: 1.8V @ 10A
• Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Время обратного восстановления (trr): 0ns
• Ток утечки: 240µA @ 1.2V
• Емкость @ Vr, F: 580pF @ 1V, 1MHz
• Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C

• Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: DO-214AB, SMC
• Тип корпуса: DO-214AB (SMC)
• Тип диода: Standard
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
• Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
• Прямое напряжение: 1.1V @ 10A
• Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 1µA @ 800V
• Емкость @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
• Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SC-83
• Тип корпуса: LDPAK
• Тип диода: Standard
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 360V
• Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
• Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Время обратного восстановления (trr): 25ns
• Ток утечки: 1µA @ 360V
• Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C