- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Средний выпрямленный ток (Io)
- Тип корпуса
-
- Рабочая температура
- Ток утечки
- Прямое напряжение
- Серия
-
- Производитель: SMC Diode Solutions
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-ESIP
- Тип корпуса: D3K
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 3A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 3A
- Ток утечки: 5µA @ 100V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 100V
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: DBL
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 1V @ 1A
- Ток утечки: 5µA @ 50V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 50V
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, KBPM
- Тип корпуса: KBPM
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 1.5A
- Прямое напряжение: 1V @ 1A
- Ток утечки: 5µA @ 100V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 100V
-
- Производитель: Comchip Technology
- Вид монтажа: QC Terminal
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, BR
- Тип корпуса: BR
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 50A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 25A
- Ток утечки: 10µA @ 50V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 1kV
-
- Производитель: Comchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
- Тип корпуса: DFS
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 1A
- Ток утечки: 10µA @ 400V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 400V
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, GBL
- Тип корпуса: GBL
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 4A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 4A
- Ток утечки: 5µA @ 100V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 100V
-
- Производитель: Diotec Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 5-Square, DB-35
- Тип корпуса: DB-35
- Тип диода: Three Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 35A
- Прямое напряжение: 1.05V @ 12.5A
- Ток утечки: 10µA @ 1000V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 1kV
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: Module
- Тип диода: Three Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.15V @ 100A
- Ток утечки: 10mA @ 1000V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 1kV
-
- Производитель: SMC Diode Solutions
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-ESIP
- Тип корпуса: GBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 6A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 6A
- Ток утечки: 5µA @ 100V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 100V
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, GBU
- Тип корпуса: GBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 2.8A
- Прямое напряжение: 1.05V @ 3A
- Ток утечки: 5µA @ 200V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 200V
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
- Тип корпуса: HBS
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 6A
- Прямое напряжение: 0.96 V @ 6 A
- Ток утечки: 5µA @ 1000V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 1kV
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, KBPM
- Тип корпуса: KBPM
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 3A
- Прямое напряжение: 1.05V @ 3A
- Ток утечки: 5µA @ 200V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 200V
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, KBU
- Тип корпуса: KBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 6A
- Прямое напряжение: 1V @ 6A
- Ток утечки: 10µA @ 800V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 800V
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: QC Terminal
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: M1
- Тип корпуса: MSD
- Тип диода: Three Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 30A
- Прямое напряжение: 1.6V @ 100A
- Ток утечки: 200µA @ 1200V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 1.2kV
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 165°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, KBPM
- Тип корпуса: KBPM
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 2A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 3.14A
- Ток утечки: 5µA @ 600V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 600V
- 10
- 15
- 50
- 100