Найдено: 7549
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Технология
Рабочая температура
Ток утечки
Прямое напряжение
Серия
GBJ2502-05-G BRIDGE RECT 1PHASE 200V 25A GBJ Comchip Technology 4-SIP, GBJ 200V 25A Single Phase Through Hole GBJ Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 10µA @ 200V 1V @ 12.5A
GBPC3504 BRIDGE RECT 1PHASE 400V 35A GBPC Diodes Incorporated 4-Square, GBPC 400V 35A Single Phase QC Terminal GBPC Standard -65°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 400V 1.1V @ 17.5A
ABSF15M 1BRect, 1000V, 1.5A, 150ns Diotec Semiconductor 4-SMD, Gull Wing 1kV 1.5A Single Phase Surface Mount ABS Standard -50°C ~ 150°C (TJ) 2µA @ 1000V 1.3V @ 800mA
VBO22-16NO8 BRIDGE RECT 1P 1.6KV 21A FO-B IXYS 4-Square, FO-B 1.6kV 21A Single Phase QC Terminal FO-B Standard -40°C ~ 150°C (TJ) 300µA @ 1600V 2.2V @ 150A
VBO55-08NO7 BRIDGE RECT 1P 800V 55A FO-T-A IXYS FO-T-A 800V 55A Single Phase Chassis Mount FO-T-A Standard -40°C ~ 150°C (TJ) 500µA @ 800V 1.6V @ 150A
802-1 SINGLE PHASE BRIDGE Microchip Technology
MB6S-TP BRIDGE RECT 1P 600V 500MA MBS-1 Micro Commercial Co TO-269AA, 4-BESOP 600V 500mA Single Phase Surface Mount MBS-1 Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 600V 1V @ 400mA
MSDM200-18 BRIDGE RECT 3P 1.8KV 200A M3-1 Microsemi Corporation M3-1 1.8kV 200A Three Phase Chassis Mount M3-1 Standard -40°C ~ 150°C (TJ) 500µA @ 1800V 1.45V @ 200A
GBJ2508TB BRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ SMC Diode Solutions 4-ESIP 800V 25A Single Phase Through Hole GBJ Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 10µA @ 800V 1.1V @ 12.5A
KBU602G T0 BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A KBU Taiwan Semiconductor Corporation 4-SIP, KBU 100V 6A Single Phase Through Hole KBU Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 100V 1.1V @ 6A
4GBL01 BRIDGE RECT 3PHASE 100V 4A GBL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 4-SIP, GBL 100V 4A Three Phase Through Hole GBL Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 100V
DF02SA-E3/45 BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS Vishay General Semiconductor - Diodes Division 4-SMD, Gull Wing 200V 1A Single Phase Surface Mount DFS Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 200V 1.1V @ 1A
BU2006-E3/51 BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A BU Vishay General Semiconductor - Diodes Division 4-SIP, BU 600V 3.5A Single Phase Through Hole isoCINK+™ BU Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 600V 1.05V @ 10A
GBPC110-E4/51 BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A GBPC1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 4-Square, GBPC-1 1kV 2A Single Phase Through Hole GBPC1 Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 1000V 1V @ 1.5A
3N259-E4/45 BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBPM Vishay General Semiconductor - Diodes Division 4-SIP, KBPM 1kV 2A Single Phase Through Hole KBPM Standard -55°C ~ 165°C (TJ) 5µA @ 1000V 1.1V @ 3.14A

Мостовой выпрямитель — это диодная сборка, соедененная по схеме моста, позволящая из переменного напряжения получить однополярное, имеющая два входа для переменного напряжения и два для выпрямленного. Другое название компонента - диодный мост. Как правило, применяется в схемах источников питания.

Выпрямленное напряжение имеет удвоенную частоту основной гармоники входного сигнала и множество субгармоник в широком диапазоне частот. Для устранения их вредного вляния на схему выпрямленное диодным мостом напряжение требует фильтрации.


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.