• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7549
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Технология
Рабочая температура
Ток утечки
Прямое напряжение
Серия
GBJ2510-05-G BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ Comchip Technology 4-SIP, GBJ 1kV 25A Single Phase Through Hole GBJ Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 10µA @ 1000V 1V @ 12.5A
GBU8A 1BRect, 50V, 8A Diotec Semiconductor 4-SIP, GBU 50V 5.6A Single Phase Through Hole GBU Standard -50°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 50V 1V @ 8A
GBU15M BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBU GeneSiC Semiconductor 4-SIP, GBU 1kV 15A Single Phase Through Hole GBU Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 1000V 1.1V @ 15A
VUO190-08NO7 BRIDGE RECT 3P 800V 248A PWS-E1 IXYS PWS-E 800V 248A Three Phase Chassis Mount PWS-E Standard -40°C ~ 150°C (TJ) 200µA @ 800V 1.07V @ 80A
679-6 BRIDGE RECTIFIER Microchip Technology
GBPC1204 BRIDGE RECT 1PHASE 400V 12A GBPC onsemi 4-Square, GBPC 400V 12A Single Phase QC Terminal GBPC Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 400V 1.1V @ 6A
KBU4D BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A KBU onsemi 4-SIP, KBU 200V 4A Single Phase Through Hole KBU Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 50V 1V @ 4A
GBPC3502 BRIDGE RECT 1PHASE 200V 35A GBPC SMC Diode Solutions 4-Square, GBPC 200V 35A Single Phase QC Terminal GBPC Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 200V 1.1V @ 17.5A
TS8P04GH BRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A TS-6P Taiwan Semiconductor Corporation 4-SIP, TS-6P 400V 8A Single Phase Through Hole TS-6P Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 10µA @ 400V 1.1V @ 8A Automotive, AEC-Q101
KBU606G T0 BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBU Taiwan Semiconductor Corporation 4-SIP, KBU 800V 6A Single Phase Through Hole KBU Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 800V 1.1V @ 6A
GBL06L-6832E3/45 BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 4-SIP, GBL 600V 3A Single Phase Through Hole GBL Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 600V 1V @ 4A
GBL06-E3/45 BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 4-SIP, GBL 600V 3A Single Phase Through Hole GBL Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 600V 1.1V @ 4A
B125C1500G-E4/51 BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A WOG Vishay General Semiconductor - Diodes Division 4-Circular, WOG 200V 1.5A Single Phase Through Hole WOG Standard -40°C ~ 125°C (TJ) 10µA @ 125V 1V @ 1.5A
G2SB60L-5753E3/45 BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 4-SIP, GBL 600V 1.5A Single Phase Through Hole GBL Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 600V 1V @ 750mA
VS-160MT160KPBF BRIDGE RECT 3P 1.6KV 160A MT-K Vishay General Semiconductor - Diodes Division MT-K Module 1.6kV 160A Three Phase Chassis Mount MT-K Standard -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Мостовой выпрямитель — это диодная сборка, соедененная по схеме моста, позволящая из переменного напряжения получить однополярное, имеющая два входа для переменного напряжения и два для выпрямленного. Другое название компонента - диодный мост. Как правило, применяется в схемах источников питания.

Выпрямленное напряжение имеет удвоенную частоту основной гармоники входного сигнала и множество субгармоник в широком диапазоне частот. Для устранения их вредного вляния на схему выпрямленное диодным мостом напряжение требует фильтрации.


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.