• Тип корпуса
  • Производитель
  • Тип диода
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 20
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
CD1408-FF1600 DIODE GEN PURP 600V 1A 1408 Bourns Inc. Chip, Concave Terminals 1A Standard Surface Mount 1408 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 600V 10pF @ 4V, 1MHz 1.7V @ 1A 600V 50ns -65°C ~ 175°C
CD1408-R1200 DIODE GEN PURP 200V 1A 1408 Bourns Inc. Chip, Concave Terminals 1A Standard Surface Mount 1408 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 200V 12pF @ 4V, 1MHz 1V @ 1A 200V 3µs -65°C ~ 175°C
CD1408-R1600 DIODE GEN PURP 600V 1A 1408 Bourns Inc. Chip, Concave Terminals 1A Standard Surface Mount 1408 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 600V 12pF @ 4V, 1MHz 1V @ 1A 600V 3µs -65°C ~ 175°C
CD1408-F11000 DIODE GEN PURP 1KV 1A 1408 Bourns Inc. Chip, Concave Terminals 1A Standard Surface Mount 1408 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 1000V 15pF @ 4V, 1MHz 1.3V @ 1A 1000V 300ns -65°C ~ 175°C
CD1408-FF1200 DIODE GEN PURP 200V 1A 1408 Bourns Inc. Chip, Concave Terminals 1A Standard Surface Mount 1408 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 200V 10pF @ 4V, 1MHz 1.7V @ 1A 200V 50ns -65°C ~ 175°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100