• Тип корпуса
  • Производитель
  • Тип диода
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 139
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Допуск
Тип корпуса
Рабочая температура
Скорость
Мощность - Макс.
Напряжение стабилизации
Имеданс (Макс) (Zzt)
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Серия
CD1206-B2100 DIODE SCHOTTKY 100V 2A 1206 Bourns Inc. Chip, Concave Terminals 2A Schottky Surface Mount 1206 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500µA @ 100V 850mV @ 2A 100V -55°C ~ 125°C
CZRNC55C39-G DIODE ZENER 39V 500MW 1206 Comchip Technology 2-SMD, No Lead Surface Mount ±5% 1206 -55°C ~ 150°C 500mW 39V 90 Ohms 100nA @ 29.3V 1.5V @ 200mA
BZS55C12 RXG DIODE ZENER 12V 500MW 1206 Taiwan Semiconductor Corporation 1206 (3216 Metric) Surface Mount ±5% 1206 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 12V 20 Ohms 100nA @ 9.1V 1.5V @ 10mA
BZS55B5V1 RAG DIODE ZENER 500MW 1206 Taiwan Semiconductor Corporation 1206 (3216 Metric) Surface Mount ±2% 1206 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 5.1V 50 Ohms 100nA @ 1V 1.5V @ 10mA
BZS55B6V8 RAG DIODE ZENER 500MW 1206 Taiwan Semiconductor Corporation 1206 (3216 Metric) Surface Mount ±2% 1206 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 6.8V 8 Ohms 100nA @ 3V 1.5V @ 10mA
BZS55B15 RXG DIODE ZENER 15V 500MW 1206 Taiwan Semiconductor Corporation 1206 (3216 Metric) Surface Mount ±2% 1206 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 15V 30 Ohms 100nA @ 11V 1.5V @ 10mA
BZS55C18 RXG DIODE ZENER 18V 500MW 1206 Taiwan Semiconductor Corporation 1206 (3216 Metric) Surface Mount ±5% 1206 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 18V 50 Ohms 100nA @ 13V 1.5V @ 10mA
BZS55B18 RXG DIODE ZENER 18V 500MW 1206 Taiwan Semiconductor Corporation 1206 (3216 Metric) Surface Mount ±2% 1206 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 18V 50 Ohms 100nA @ 13V 1.5V @ 10mA
BZS55B3V9 RXG DIODE ZENER 3.9V 500MW 1206 Taiwan Semiconductor Corporation 1206 (3216 Metric) Surface Mount ±2% 1206 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 3.9V 85 Ohms 2µA @ 1V 1.5V @ 10mA
BZS55B2V7 RAG DIODE ZENER 500MW 1206 Taiwan Semiconductor Corporation 1206 (3216 Metric) Surface Mount ±2% 1206 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 2.7V 85 Ohms 10µA @ 1V 1.5V @ 10mA
BZS55C30 RXG DIODE ZENER 30V 500MW 1206 Taiwan Semiconductor Corporation 1206 (3216 Metric) Surface Mount ±5% 1206 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 30V 80 Ohms 100nA @ 22V 1.5V @ 10mA
BZS55C11 RXG DIODE ZENER 11V 500MW 1206 Taiwan Semiconductor Corporation 1206 (3216 Metric) Surface Mount ±5% 1206 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 11V 20 Ohms 100nA @ 8.2V 1.5V @ 10mA
BZS55C5V6 RXG DIODE ZENER 5.6V 500MW 1206 Taiwan Semiconductor Corporation 1206 (3216 Metric) Surface Mount ±5% 1206 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 5.6V 30 Ohms 100nA @ 1V 1.5V @ 10mA
BZS55B2V7 RXG DIODE ZENER 2.7V 500MW 1206 Taiwan Semiconductor Corporation 1206 (3216 Metric) Surface Mount ±2% 1206 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 2.7V 85 Ohms 10µA @ 1V 1.5V @ 10mA
BZS55C22 RXG DIODE ZENER 22V 500MW 1206 Taiwan Semiconductor Corporation 1206 (3216 Metric) Surface Mount ±5% 1206 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 22V 55 Ohms 100nA @ 16V 1.5V @ 10mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100