• Тип корпуса
  • Производитель
  • Тип диода
Найдено: 110
  • DIODE ZENER 6.2V 200MW 1005
    Bourns Inc.
    • Производитель: Bourns Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Ток утечки: 100nA @ 2V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 6.2V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 10 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 200MW 1005
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
    • Ток утечки: 100nA @ 20V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 27V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 80 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 5.1V 200MW 1005
    Bourns Inc.
    • Производитель: Bourns Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Ток утечки: 100nA @ 800mV
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 5.1V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 60 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 5.1V 200MW 1005
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
    • Ток утечки: 100nA @ 800mV
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 5.1V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 60 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 200MW 1005
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
    • Ток утечки: 100nA @ 12V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 16V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 40 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 20V 200MW 1005
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
    • Ток утечки: 100nA @ 15V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 20V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 50 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 40V 30MA 1005
    Bourns Inc.
    • Производитель: Bourns Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 30mA
    • Прямое напряжение: 370mV @ 1mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 1µA @ 40V
    • Емкость @ Vr, F: 1.5pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 39V 200MW 1005
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
    • Ток утечки: 100nA @ 29V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 39V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 90 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 4.3V 200MW 1005
    Bourns Inc.
    • Производитель: Bourns Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Ток утечки: 5µA @ 1V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 4.3V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 95 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 200MW 1005
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
    • Ток утечки: 100µA @ 1V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 2.4V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 85 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 6.8V 200MW 1005
    Bourns Inc.
    • Производитель: Bourns Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Ток утечки: 100nA @ 3V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 6.8V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 200MW 1005
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
    • Ток утечки: 100nA @ 23V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 30V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 80 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 15V 200MW 1005
    Bourns Inc.
    • Производитель: Bourns Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Ток утечки: 100nA @ 11V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 15V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 2.4V 200MW 1005
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
    • Ток утечки: 100µA @ 1V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 2.4V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 85 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 40V 100MA 1005
    Bourns Inc.
    • Производитель: Bourns Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 450mV @ 10mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 1µA @ 10V
    • Емкость @ Vr, F: 9pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: