• Тип корпуса
  • Производитель
  • Тип диода
Найдено: 110
  • DIODE ZENER 12V 200MW 1005
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
    • Ток утечки: 100nA @ 9V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 12V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 20 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 3.9V 200MW 1005
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
    • Ток утечки: 10µA @ 1V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 3.9V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 95 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 9.1V 200MW 1005
    Bourns Inc.
    • Производитель: Bourns Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Ток утечки: 100nA @ 7V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 9.1V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 10 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 200MW 1005
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
    • Ток утечки: 100nA @ 29V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 39V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 90 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 200MW 1005
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
    • Ток утечки: 75µA @ 1V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 2.7V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 83 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 33V 200MW 1005
    Bourns Inc.
    • Производитель: Bourns Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Ток утечки: 100nA @ 25V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 33V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 80 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 8.2V 200MW 1005
    Bourns Inc.
    • Производитель: Bourns Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Ток утечки: 100nA @ 6V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 8.2V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 7 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 200MW 1005
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
    • Ток утечки: 100nA @ 800mV
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 5.1V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 60 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 4.7V 200MW 1005
    Bourns Inc.
    • Производитель: Bourns Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Ток утечки: 5µA @ 2V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 4.7V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 78 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 1005
    Bourns Inc.
    • Производитель: Bourns Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 440mV @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 30µA @ 30V
    • Емкость @ Vr, F: 9pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 16V 200MW 1005
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
    • Ток утечки: 100nA @ 12V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 16V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 40 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 3V 200MW 1005
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
    • Ток утечки: 50µA @ 1V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 3V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 95 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 20V 500MA 1005
    Bourns Inc.
    • Производитель: Bourns Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 20V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 500mA
    • Прямое напряжение: 550mV @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 100µA @ 20V
    • Емкость @ Vr, F: 100pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ZENER 20V 200MW 1005
    Bourns Inc.
    • Производитель: Bourns Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Ток утечки: 100nA @ 15V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 20V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 50 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 40V 100MA 1005
    Bourns Inc.
    • Производитель: Bourns Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 1005 (2512 Metric)
    • Тип корпуса: 1005
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100mA
    • Прямое напряжение: 550mV @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 30µA @ 10V
    • Емкость @ Vr, F: 9pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: