• Тип корпуса
  • Производитель
  • Тип диода
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 118
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Допуск
Тип корпуса
Рабочая температура
Скорость
Мощность - Макс.
Напряжение стабилизации
Имеданс (Макс) (Zzt)
Ток утечки
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Коэфициент емкости
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Параметры коэфициента емкости
Добротность @ Vr, F
Серия
CZRSC55C4V3-G DIODE ZENER 4.3V 500MW 0805 Comchip Technology 0805 (2012 Metric) Surface Mount ±5% 0805 500mW 4.3V 80 Ohms 1µA @ 9.9V 1.5V @ 200mA
SD0805S040S1R0 DIODE SCHOTTKY 0805 KYOCERA AVX 0805 (2012 Metric) 1A (DC) Schottky Surface Mount 0805 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50µA @ 40V 550mV @ 1A 40V -55°C ~ 125°C
GMP4235-GM1/TR SI PIN NON HERMETIC PLASTIC SMT Microchip Technology 0805 (2012 Metric) 250V PIN - Single 0805 -55°C ~ 125°C 0.6pF @ 10V, 1MHz 800mOhm @ 20mA, 100MHz GIGAMITE®
MMP4401-GM2/TR SI PIN NON HERMETIC PLASTIC SMT Microchip Technology 0805 (2012 Metric) 500V PIN - Single 0805 -55°C ~ 150°C 0.35pF @ 50V, 1MHz 3.5 W 800mOhm @ 100mA, 100MHz MMP4400
GMP4232-GM1/TR SI PIN NON HERMETIC PLASTIC SMT Microchip Technology 0805 (2012 Metric) 300V PIN - Single 0805 -55°C ~ 125°C 0.35pF @ 50V, 1MHz 1Ohm @ 20mA, 100MHz GIGAMITE®
BZY55C36 RYG DIODE ZENER 36V 500MW 0805 Taiwan Semiconductor Corporation 0805 (2012 Metric) Surface Mount ±5% 0805 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 36V 80 Ohms 100nA @ 27V 1.5V @ 10mA
BZY55C16 RYG DIODE ZENER 16V 500MW 0805 Taiwan Semiconductor Corporation 0805 (2012 Metric) Surface Mount ±5% 0805 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 16V 40 Ohms 100nA @ 12V 1.5V @ 10mA
BZY55B18 RYG DIODE ZENER 18V 500MW 0805 Taiwan Semiconductor Corporation 0805 (2012 Metric) Surface Mount ±2% 0805 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 18V 50 Ohms 100nA @ 13V 1.5V @ 10mA
BZY55B3V0 RYG DIODE ZENER 3V 500MW 0805 Taiwan Semiconductor Corporation 0805 (2012 Metric) Surface Mount ±2% 0805 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 3V 85 Ohms 4µA @ 1V 1.5V @ 10mA
BZY55B4V7 RYG DIODE ZENER 4.7V 500MW 0805 Taiwan Semiconductor Corporation 0805 (2012 Metric) Surface Mount ±2% 0805 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 4.7V 70 Ohms 500nA @ 1V 1.5V @ 10mA
BZY55C6V2 RYG DIODE ZENER 6.2V 500MW 0805 Taiwan Semiconductor Corporation 0805 (2012 Metric) Surface Mount ±5% 0805 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 6.2V 10 Ohms 100nA @ 2V 1.5V @ 10mA
BZY55B16 RYG DIODE ZENER 16V 500MW 0805 Taiwan Semiconductor Corporation 0805 (2012 Metric) Surface Mount ±2% 0805 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 16V 40 Ohms 100nA @ 12V 1.5V @ 10mA
BZY55C22 RYG DIODE ZENER 22V 500MW 0805 Taiwan Semiconductor Corporation 0805 (2012 Metric) Surface Mount ±5% 0805 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 22V 55 Ohms 100nA @ 16V 1.5V @ 10mA
BZY55B5V1 RYG DIODE ZENER 5.1V 500MW 0805 Taiwan Semiconductor Corporation 0805 (2012 Metric) Surface Mount ±2% 0805 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 5.1V 50 Ohms 100nA @ 1V 1.5V @ 10mA
BZY55B11 RYG DIODE ZENER 11V 500MW 0805 Taiwan Semiconductor Corporation 0805 (2012 Metric) Surface Mount ±2% 0805 -55°C ~ 150°C (TJ) 500mW 11V 20 Ohms 100nA @ 8.2V 1.5V @ 10mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100