- Производитель
- Тип диода
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: T-18, Axial
- Тип корпуса: T-18
- Прямое напряжение: 1.2V @ 1A
- Ток утечки: 500nA @ 20.1V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 5W
- Напряжение стабилизации: 28V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 6 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/533
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: SQ-MELF, B
- Тип корпуса: B, SQ-MELF
- Прямое напряжение: 1.4V @ 1A
- Ток утечки: 5µA @ 2V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 5.1V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 14 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: Module
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
- Прямое напряжение: 530mV @ 40A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 3mA @ 45V
- Конфигурация диода: 1 Pair Series Connection
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 40A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 4ns
- Ток утечки: 100nA @ 50V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 4 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 400mA (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: E, Axial
- Прямое напряжение: 1.5V @ 1A
- Ток утечки: 10µA @ 9.9V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 5W
- Напряжение стабилизации: 13V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 3 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: M3-1
- Тип корпуса: M3-1
- Тип диода: Three Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 200A
- Прямое напряжение: 1.45V @ 200A
- Ток утечки: 500µA @ 1800V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 1.8kV
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-214AC, SMA
- Тип корпуса: DO-214AC (SMAJ)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 50nA @ 26.4V
- Допуск: ±2%
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Напряжение стабилизации: 33V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 25 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/533
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: B, Axial
- Тип корпуса: DO-35 (DO-204AH)
- Прямое напряжение: 1.4V @ 1A
- Ток утечки: 5µA @ 1.5V
- Допуск: ±2%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 4.7V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 17 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/585
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SQ-MELF, A
- Тип корпуса: D-5A
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 1.75V @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 30ns
- Ток утечки: 1µA @ 1000V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-214AA, SMB
- Тип корпуса: SMBJ (DO-214AA)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 6V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 2W
- Напряжение стабилизации: 8.2V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 4.5 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: DO-215AA, SMB Gull Wing
- Тип корпуса: DO-215AA
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 90V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 840mV @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 100µA @ 90V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/127
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
- Тип корпуса: DO-35
- Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
- Ток утечки: 2µA @ 1V
- Допуск: ±2%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 3.9V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 23 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/452
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-213AA (Glass)
- Тип корпуса: DO-213AA
- Ток утечки: 2µA @ 3V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 6.4V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/435
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-213AA (Glass)
- Тип корпуса: DO-213AA
- Ток утечки: 2.5µA @ 2V
- Допуск: ±2%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 3.9V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 1.65 kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100