-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 5.5
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 4000 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 13.1
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 1500 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 3.4
- Параметры коэфициента емкости: C0/C30
- Добротность @ Vr, F: 7000 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 6V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 10W
- Обратное пиковое напряжение: 120V
- Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 5V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10mA (DC)
- Прямое напряжение: 600 mV @ 1 mA
- Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
- Ток утечки: 100nA @ 1V
- Емкость @ Vr, F: 0.8pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 18V
- Коэфициент емкости: 5.3
- Параметры коэфициента емкости: C2/C12
- Добротность @ Vr, F: 4000 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: PIN - Single
- Ток, макс.: 15mA
- Обратное пиковое напряжение: 3V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.15pF @ 6V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3W
- Обратное пиковое напряжение: 15V
- Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 1.2pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 3.4
- Параметры коэфициента емкости: C0/C30
- Добротность @ Vr, F: 3800 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.1pF @ 50V, 1MHz
- Ток, макс.: 50mA
- Обратное пиковое напряжение: 750V
- Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.06pF @ 10V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 100V
- Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 20mA, 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.15pF @ 6V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2W
- Обратное пиковое напряжение: 20V
- Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.2pF @ 20V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 13
- Параметры коэфициента емкости: C0/C20
- Добротность @ Vr, F: 1000 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.15pF @ 6V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3W
- Обратное пиковое напряжение: 15V
- Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.1pF @ 50V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 300V
- Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100