Найдено: 274
  • SI SCHOTTKY NON HERMETIC EPSM SM
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 5V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10mA (DC)
    • Прямое напряжение: 600 mV @ 1 mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 100nA @ 1V
    • Емкость @ Vr, F: 0.8pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 2.2pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 15V
    • Коэфициент емкости: 7.4
    • Параметры коэфициента емкости: C2/C12
    • Добротность @ Vr, F: 1800 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 1pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 30V
    • Коэфициент емкости: 3.4
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C30
    • Добротность @ Vr, F: 3800 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI SRD NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 6V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 15V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI LIMITER NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 6V, 1MHz
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5W
    • Обратное пиковое напряжение: 45V
    • Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI LIMITER NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 6V, 1MHz
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 4W
    • Обратное пиковое напряжение: 45V
    • Сопротивление @ If, F: 1.2Ohm @ 10mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAAS TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 15V
    • Коэфициент емкости: 4.2
    • Параметры коэфициента емкости: C2/C12
    • Добротность @ Vr, F: 4000 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI LIMITER NON HERMETIC CHIP W L
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 6V, 1MHz
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5W
    • Обратное пиковое напряжение: 45V
    • Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: GC15000
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.2pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 13
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C20
    • Добротность @ Vr, F: 1000 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI PIN NON HERMETIC CHIP W LEAD
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.25pF @ 50V, 1MHz
    • Ток, макс.: 50mA
    • Обратное пиковое напряжение: 300V
    • Сопротивление @ If, F: 1.2Ohm @ 100mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 3.9pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 5.8
    • Параметры коэфициента емкости: C4/C20
    • Добротность @ Vr, F: 220 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI PIN NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 10V, 1MHz
    • Ток, макс.: 10mA
    • Обратное пиковое напряжение: 250V
    • Сопротивление @ If, F: 600mOhm @ 20mA, 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAAS TVAR HERMETIC PILL
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI PIN NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 10V, 1MHz
    • Ток, макс.: 10mA
    • Обратное пиковое напряжение: 250V
    • Сопротивление @ If, F: 600mOhm @ 20mA, 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI SRD NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 6V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 15V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: