- Производитель
- Тип диода
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Global Power Technology-GPT
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 4-PowerTSFN
- Тип корпуса: 4-DFN (8x8)
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 44.9A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Global Power Technology-GPT
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: TO-263
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 30.9A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: 825pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Global Power Technology-GPT
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 9.6A (DC)
- Прямое напряжение: 1.5V @ 2A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 124pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Global Power Technology-GPT
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 2A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Global Power Technology-GPT
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220F
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 24.6A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 20A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: 1320pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Global Power Technology-GPT
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220F
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 15.4A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 6A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 424pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Global Power Technology-GPT
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: TO-263
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 79.5A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 20A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 1390pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Global Power Technology-GPT
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: TO-263
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 22.5A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 6A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 424pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Global Power Technology-GPT
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 11.6A (DC)
- Прямое напряжение: 1.8V @ 6A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 181pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Global Power Technology-GPT
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 20.5A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 5A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: 424pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Global Power Technology-GPT
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 12A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 3A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 100µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: 260pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Global Power Technology-GPT
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247AB
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Прямое напряжение: 1.7V @ 20A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 1200V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 62A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Global Power Technology-GPT
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 34A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 690pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Global Power Technology-GPT
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: TO-263
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 32A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Global Power Technology-GPT
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 11.5A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 3A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 181pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100