- Производитель
- Тип корпуса
- Диапазон частот
- Тип переключателя
-
- Рабочая температура
- Топология
- Импеданс
- Вносимые потери
- Изоляция каналов
- P1dB
- Частота теста
- IIP3
- Серия
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 20-QFN (4x4)
- Импеданс: 75Ohm
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.3V
- Диапазон частот: 5MHz ~ 2.2GHz
- Вносимые потери: 1.7dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: CATV
- Топология: Absorptive
- P1dB: 32dBm
- Частота теста: 2.2GHz
- IIP3: 53dBm
- Изоляция каналов: 53.6dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.65V ~ 2.85V
- Диапазон частот: 100MHz ~ 3GHz
- Вносимые потери: 0.45dB
- Тип переключателя: SP4T
- Тип радиосигнала: CDMA, GSM
- Частота теста: 2GHz, 1GHz
- IIP3: 68dBm
- Изоляция каналов: -29dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C
- Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 24-QFN (4x4)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 3.3V
- Диапазон частот: 30MHz ~ 6GHz
- Вносимые потери: 1.1dB
- Тип переключателя: SP4T
- Тип радиосигнала: 3G/4G
- Топология: Absorptive
- Частота теста: 900MHz
- IIP3: 58dBm
- Изоляция каналов: 61dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Features: Single/Dual Line Control
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: SC-70-6
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.3V
- Диапазон частот: 10MHz ~ 3GHz
- Вносимые потери: 0.9dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Reflective
- P1dB: 27dBm
- Частота теста: 2GHz
- IIP3: 45dBm
- Изоляция каналов: 23dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 20-QFN (4x4)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.3V
- Диапазон частот: 0Hz ~ 3GHz
- Вносимые потери: 1.2dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Absorptive
- P1dB: 31dBm
- Частота теста: 3GHz
- IIP3: 55dBm
- Изоляция каналов: -44dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Features: Single/Dual Line Control
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: SC-70-6
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2V ~ 3.3V
- Диапазон частот: 0Hz ~ 4GHz
- Вносимые потери: 0.7dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Reflective
- P1dB: 32dBm
- Частота теста: 2.5GHz
- IIP3: 53dBm
- Изоляция каналов: 22dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 20-QFN (4x4)
- Импеданс: 75Ohm
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.3V
- Диапазон частот: 5MHz ~ 3GHz
- Вносимые потери: 1.1dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: CATV
- Топология: Absorptive
- P1dB: 31dBm
- Частота теста: 2.2GHz
- IIP3: 55dBm
- Изоляция каналов: -52dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C
- Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
- Напряжение питания: 2.3V ~ 5.5V
- Диапазон частот: 700MHz ~ 3.8GHz
- Вносимые потери: 0.8dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: Cellular
- Топология: Absorptive
- Частота теста: 3GHz
- IIP3: 65dBm
- Изоляция каналов: -44dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®, HaRP™
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
- Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.3V ~ 5.5V
- Диапазон частот: 100MHz ~ 6GHz
- Вносимые потери: 0.95dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: 802.11a/b/g/n/ac
- Топология: Absorptive
- Частота теста: 6GHz
- IIP3: 65dBm
- Изоляция каналов: -41dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®, HaRP™
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C
- Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 24-QFN (4x4)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.3V ~ 5.5V
- Диапазон частот: 450MHz ~ 4GHz
- Вносимые потери: 1.6dB
- Тип переключателя: SP5T
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Absorptive
- Частота теста: 4GHz
- IIP3: 57dBm
- Изоляция каналов: -45dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C
- Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 6-DFN (1.5x1.5)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.3V ~ 5.5V
- Диапазон частот: 100MHz ~ 6GHz
- Вносимые потери: 0.8dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: 802.11a/b/g/n/ac
- Топология: Reflective
- P1dB: -41dBm
- Частота теста: 2.4GHz ~ 2.5GHz
- IIP3: 61dBm
- Изоляция каналов: -48dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Features: DC Blocked, Single Line Control
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
- Тип корпуса: 8-MSOP
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.3V
- Диапазон частот: 10MHz ~ 3GHz
- Вносимые потери: 0.45dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Reflective
- P1dB: 14.5dBm
- Частота теста: 2GHz
- IIP3: 33.5dBm
- Изоляция каналов: 25dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Features: Single Line Control
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
- Тип корпуса: 8-MSOP
- Импеданс: 75Ohm
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.3V
- Диапазон частот: 0Hz ~ 1.3GHz
- Вносимые потери: 0.8dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Reflective
- P1dB: 32dBm
- Частота теста: 1GHz
- IIP3: 50dBm (min)
- Изоляция каналов: 42dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®, HaRP™
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 32-QFN (5x5)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.7V ~ 5.5V
- Диапазон частот: 30MHz ~ 1GHz
- Вносимые потери: 0.4dB
- Тип переключателя: SP5T
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Reflective
- Частота теста: 1GHz
- IIP3: 33dBm
- Изоляция каналов: -29dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®, HaRP™
- Features: DC Blocked
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-DFN (1.5x1.5)
- Импеданс: 50Ohm
- Диапазон частот: 100MHz ~ 3GHz
- Вносимые потери: 0.55dB
- Тип переключателя: SP3T
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Reflective
- Частота теста: 2.5GHz
- IIP3: 66dBm
- Изоляция каналов: 30dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100