- Производитель
- Тип корпуса
- Диапазон частот
- Тип переключателя
-
- Рабочая температура
- Топология
- Импеданс
- Вносимые потери
- Изоляция каналов
- P1dB
- Частота теста
- IIP3
- Серия
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®, HaRP™
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 32-QFN (5x5)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.3V ~ 5.5V
- Диапазон частот: 30MHz ~ 1GHz
- Вносимые потери: 0.8dB
- Тип переключателя: SP5T
- Частота теста: 1GHz
- IIP3: 42dBm
- Изоляция каналов: 30dB (min)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®, HaRP™
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Диапазон частот: 0Hz ~ 7.5GHz
- Вносимые потери: 1dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Absorptive
- P1dB: 34dBm
- Частота теста: 7.5GHz
- IIP3: 65dBm
- Изоляция каналов: 28dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®, HaRP™
- Features: Single Line Control
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 20-QFN (4x4)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.5V ~ 3V
- Диапазон частот: 9kHz ~ 6GHz
- Вносимые потери: 0.9dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Reflective
- P1dB: 34dBm
- Частота теста: 6GHz
- IIP3: 50dBm
- Изоляция каналов: 21dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®, HaRP™
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.3V ~ 5.5V
- Диапазон частот: 9kHz ~ 13GHz
- Вносимые потери: 2dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: ATE
- Топология: Absorptive
- Частота теста: 13GHz
- IIP3: 66dBm
- Изоляция каналов: 18dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®, HaRP™
- Features: DC Blocked, Single/Dual Line Control
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
- Тип корпуса: 8-MSOP
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
- Диапазон частот: 10MHz ~ 3GHz
- Вносимые потери: 0.75dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Reflective
- P1dB: 30.5dBm
- Частота теста: 3GHz
- IIP3: 59dBm
- Изоляция каналов: -40dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Features: Single Line Control
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
- Тип корпуса: 8-MSOP
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.3V
- Диапазон частот: 0Hz ~ 3GHz
- Вносимые потери: 0.6dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Reflective
- P1dB: 27dBm
- Частота теста: 2GHz
- IIP3: 45dBm
- Изоляция каналов: -29dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Features: Single Line Control
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: SC-70-6
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.3V
- Диапазон частот: 0Hz ~ 3GHz
- Вносимые потери: 0.9dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Reflective
- P1dB: 27dBm
- Частота теста: 2GHz
- IIP3: 45dBm (min)
- Изоляция каналов: 23dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®, HaRP™
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Диапазон частот: 0Hz ~ 7.5GHz
- Вносимые потери: 1dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Absorptive
- P1dB: 34dBm
- Частота теста: 7.5GHz
- IIP3: 65dBm
- Изоляция каналов: 28dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®, HaRP™
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 32-QFN (5x5)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.3V ~ 5.5V
- Диапазон частот: 100MHz ~ 1GHz
- Вносимые потери: 0.8dB
- Тип переключателя: SP5T
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Reflective
- Частота теста: 1GHz
- IIP3: 42dBm
- Изоляция каналов: 36dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 14-XFBGA, FCDSBGA
- Тип корпуса: 14-FlipChip (1.1x2)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Диапазон частот: 9kHz ~ 13.5GHz
- Вносимые потери: 1.74dB
- Тип переключателя: SPDT
- Топология: Absorptive
- P1dB: 33dBm
- Частота теста: 13.5GHz
- IIP3: 56dBm
- Изоляция каналов: 26dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 12-WFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 12-QFN (3x3)
- Импеданс: 75Ohm
- Напряжение питания: 2.3V ~ 5.5V
- Диапазон частот: 5MHz ~ 1.79GHz
- Тип переключателя: SPDT
- Топология: Reflective
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®, HaRP™
- Features: DC Blocked
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 32-TFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 32-LGA (5x5)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 3V ~ 3.55V
- Диапазон частот: 10Hz ~ 8GHz
- Вносимые потери: 1.2dB
- Тип переключателя: SP4T
- Тип радиосигнала: ATE, ISM, PHS, UMTS, WLL
- Топология: Absorptive
- P1dB: 33dBm
- Частота теста: 8GHz
- IIP3: 58dBm
- Изоляция каналов: -31dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 32-TFLGA Exposed Pad
- Тип корпуса: 32-LGA (5x5)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 3.3V
- Диапазон частот: 10Hz ~ 8GHz
- Вносимые потери: 1.2dB
- Тип переключателя: SP4T
- Топология: Absorptive
- P1dB: 33dBm
- Частота теста: 8GHz
- IIP3: 58dBm
- Изоляция каналов: -31dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 12-WFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 12-QFN (3x3)
- Импеданс: 75Ohm
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.63V
- Диапазон частот: 5MHz ~ 2.2GHz
- Вносимые потери: 1.7dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: CATV
- Топология: Absorptive
- P1dB: 23.5dBm
- Частота теста: 2.2GHz
- IIP3: 47.5dBm
- Изоляция каналов: 57dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C
- Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.65V ~ 3.3V
- Диапазон частот: 50MHz ~ 3GHz
- Вносимые потери: 0.5dB
- Тип переключателя: SP4T
- Тип радиосигнала: WCDMA
- Топология: Reflective
- P1dB: 37dBm
- Частота теста: 1GHz
- IIP3: 68dBm
- Изоляция каналов: 32dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100