• Ёмкость
  • Допуск
  • Напряжение пробоя
    • Высота
    • Рабочая температура
    • ЭПС (Эквиваленстное последовательное сопротивление)
    • Эквивалентная индуктивность
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 236
Наименование Описание Производитель
Ёмкость
Допуск
Напряжение пробоя
Package / Case
Применение
Features
Размеры
Высота
Рабочая температура
ЭПС (Эквиваленстное последовательное сопротивление)
Эквивалентная индуктивность
Серия
935133424533 CAP SILICON 0.033UF 15% 11V 0402 IPDiA 0.033µF ±15% 11V 0402 (1005 Metric) High Temperature High Reliability 0.047" L x 0.028" W (1.20mm x 0.70mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 250°C 400 mOhms 100pH XTSC
935133424547 CAP SILICON 0.047UF 15% 11V 0402 IPDiA 0.047µF ±15% 11V 0402 (1005 Metric) High Temperature High Reliability 0.047" L x 0.028" W (1.20mm x 0.70mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 250°C 400 mOhms 100pH XTSC
935131424522 CAP SILICON 0.022UF 15% 11V 0402 IPDiA 0.022µF ±15% 11V 0402 (1005 Metric) High Stability High Reliability 0.047" L x 0.028" W (1.20mm x 0.70mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 150°C 400 mOhms 100pH HSSC
935132429733 CAP SILICON 3.3UF 15% 11V 1812 IPDiA 3.3µF ±15% 11V 1812 (4532 Metric) High Temperature High Reliability 0.183" L x 0.140" W (4.66mm x 3.56mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 200°C 100pH HTSC
9018RK-20 CAP SILICON 18PF 10% SMD MACOM Technology Solutions 18pF ±10% Nonstandard SMD High Stability 0.015" L x 0.015" W (0.38mm x 0.38mm) 0.007" (0.18mm) -55°C ~ 150°C 90
9110RM CAP SILICON 10PF 20% 0202 MACOM Technology Solutions 10pF ±20% 0202 (0505 Metric) High Stability 0.020" L x 0.020" W (0.51mm x 0.51mm) 0.008" (0.20mm) -55°C ~ 150°C 91
935157425510-W0A CAP SILICON 10000PF 15% 11V 0201 Murata Electronics 10000pF ±15% 11V 0201 (0603 Metric) High Stability, Wirebond and Embedded High Reliability 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) 0.005" (0.12mm) -55°C ~ 150°C 30 mOhms 100pH UBEC
935174730510-T3A CAP SILICON 10000PF 15% 30V 0202 Murata Electronics 10000pF ±15% 30V 0202 (0505 Metric) High Stability, High Temperature, Wirebond and Embedded 0.025" L x 0.025" W (0.63mm x 0.63mm) 0.012" (0.30mm) -55°C ~ 200°C ATSC
939113424610-T3N CAP SILICON 0.1UF 15% 11V 0402 Murata Electronics 0.1µF ±15% 11V 0402 (1005 Metric) High Stability High Reliability, Low Profile 0.047" L x 0.028" W (1.20mm x 0.70mm) 0.017" (0.44mm) -55°C ~ 150°C 500 mOhms 100pH BBSC
935146832410-W0T CAP SILICON 1000PF 15% 30V SMD Murata Electronics 1000pF ±15% 30V Nonstandard Chip High Stability, Vertical Silicon Cap, Wirebond High Reliability, Low Profile 0.010" L x 0.010" W (0.25mm x 0.25mm) 0.005" (0.12mm) -55°C ~ 150°C 50 mOhms 50pH WLSC
935154630510-T3T ULTRA LARGE BAND VERTICAL WIREBO Murata Electronics 10nF ±15% 50V 0303 (0808 Metric) High Stability, Vertical Silicon Cap, Wirebond High Reliability, Low Profile 0.031" L x 0.031" W (0.80mm x 0.80mm) 0.005" (0.12mm) -55°C ~ 150°C 6pH UWSC
RFCS04024000DBTT1 CAP SILICON 0.4PF 50V 0402 Vishay Electro-Films 0.4pF ±0.1pF 50V 0402 (1005 Metric) 0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 125°C RFCS
RFCS04028000DBTT1 CAP SILICON 0.8PF 50V 0402 Vishay Electro-Films 0.8pF ±0.1pF 50V 0402 (1005 Metric) 0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 125°C RFCS
RFCS04021000BJTT1 CAP SILICON 10PF 5% 25V 0402 Vishay Electro-Films 10pF ±5% 25V 0402 (1005 Metric) 0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 125°C RFCS
RFCS04026000DBTWS CAP SILICON 0.6PF 50V 0402 Vishay Electro-Films 0.6pF ±0.1pF 50V 0402 (1005 Metric) 0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 125°C RFCS
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Кремниевые (силиконовые) конденсаторы представляют собой современный тип пассивных компонентов, отличающийся высокой стабильностью параметров и надежностью работы в самых различных условиях. Благодаря использованию кремниевой подложки, такие конденсаторы демонстрируют минимальные утечки тока, низкий уровень паразитных индуктивностей и емкостей, а также отличную температурную стабильность. Это делает их идеальным выбором для высокочастотных и высокоточных электронных схем, где критически важна точность и долговечность.

Особое преимущество кремниевых конденсаторов проявляется в микросборках, СВЧ-устройствах, телекоммуникационном оборудовании и медицинской электронике. Их компактные размеры и возможность интеграции непосредственно в кристалл или на подложку позволяют создавать миниатюрные и надежные решения для сложных электронных систем. Кроме того, такие конденсаторы устойчивы к воздействию радиации и экстремальных температур, что расширяет область их применения в аэрокосмической и военной технике.

Выбирая кремниевые конденсаторы, инженеры получают компонент с длительным сроком службы, высокой повторяемостью характеристик и минимальными потерями на высоких частотах. Это оптимальный выбор для тех, кто ищет надежные решения для работы в условиях повышенных требований к стабильности и точности электронных схем.


Справочная информация по основным параметрам:

Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Tolerance (Допуск) — Отклонение номинала от заданного производителем в силу технических возможностей производста, применяемых материалов и других факторов.
Capacitance (Ёмкость) — Ключевая характеристика кондестора или компонента, обладающего его свойствами — это способность накапливать электрический заряд при приложении разности потенциалов (напряжения) к полюсам компонента.
ESR (Equivalent Series Resistance) (ЭПС (Эквиваленстное последовательное сопротивление)) — Сопровление, которое характеризует потери энергии в виде тепла при работе на переменном токе. R s = 1 Q ⋅ L C Rs = (1 / Q) * sqrt(L / C)
Voltage - Breakdown (Напряжение пробоя) — Напряжение, при котором диэлектрик конденсатора теряет изоляционные свойства и начинается лавинный пробой
ESL (Equivalent Series Inductance) (Эквивалентная индуктивность) — эквивалентная последовательная индуктивность — это паразитная индуктивность, которая существует в любом реальном конденсаторе наряду с его основной емкостью. Присутствует из-за физических особенностей конструкции конденсатора: выводов, внутренних соединений, формы обкладок и т.п.