Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET 10-PowerSO

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 37
  • STV250N55F3
    MOSFET N-CH 55V 250A POWERSO-10
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: STripFET™ III
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    • Тип корпуса: 10-PowerSO
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 75A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PD57045-E
    FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    • Тип корпуса: 10-PowerSO
    • Частота: 945MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 250mA
    • Выходная мощность: 45W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 5A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PD57030S
    FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    • Тип корпуса: 10-PowerSO
    • Частота: 945MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 50mA
    • Выходная мощность: 30W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 4A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STV160NF03LT4
    MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: STripFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    • Тип корпуса: 10-PowerSO
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4700pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 210W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±15V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STV270N4F3
    MOSFET N-CH 40V 270A POWERSO-10
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: STripFET™ III
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    • Тип корпуса: 10-PowerSO
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7500pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STV240N75F3
    MOSFET N-CH 75V 240A POWERSO-10
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: STripFET™ III
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    • Тип корпуса: 10-PowerSO
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 120A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PD85006-E
    FET RF 40V 870MHZ PWRSO-10RF
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    • Тип корпуса: 10-PowerSO
    • Частота: 870MHz
    • Номинальное напряжение: 40V
    • Current - Test: 200mA
    • Выходная мощность: 6W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 13.6V
    • Номинальный ток: 2A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STV200N55F3
    MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: STripFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    • Тип корпуса: 10-PowerSO
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PD54008-E
    FET RF 25V 500MHZ PWRSO10
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    • Тип корпуса: 10-PowerSO
    • Частота: 500MHz
    • Номинальное напряжение: 25V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 8W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 11.5dB
    • Voltage - Test: 7.5V
    • Номинальный ток: 5A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PD57018-E
    FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    • Тип корпуса: 10-PowerSO
    • Частота: 945MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 18W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 2.5A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PD57070S
    FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    • Тип корпуса: 10-PowerSO
    • Частота: 945MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 250mA
    • Выходная мощность: 70W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14.7dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 7A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PD55008TR
    FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    • Тип корпуса: 10-PowerSO
    • Частота: 500MHz
    • Номинальное напряжение: 40V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 8W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 12.5V
    • Номинальный ток: 4A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PD57030-E
    FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    • Тип корпуса: 10-PowerSO
    • Частота: 945MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 50mA
    • Выходная мощность: 30W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 4A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PD55003-E
    FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    • Тип корпуса: 10-PowerSO
    • Частота: 500MHz
    • Номинальное напряжение: 40V
    • Current - Test: 50mA
    • Выходная мощность: 3W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 12.5V
    • Номинальный ток: 2.5A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STV160NF02LT4
    MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: STripFET™ II
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    • Тип корпуса: 10-PowerSO
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 210W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±15V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100