Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения в корпусе Mini3-G3-B

    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Package / Case
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 60
  • DRC2144V0L
    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G3-B
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DRC2114E0L
    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G3-B
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 35 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DRA2144E0L
    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G3-B
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DRA2124T0L
    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G3-B
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DRA2144T0L
    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G3-B
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DRA2143Y0L
    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G3-B
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DRC2523E0L
    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G3-B
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 100mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DRC2143E0L
    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G3-B
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DRC2114T0L
    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G3-B
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DRC2144T0L
    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G3-B
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DRA2533Q0L
    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G3-B
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 100mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Резистор базы (R1): 3.1 kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 4.6 kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DRA2144V0L
    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G3-B
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DRA2115G0L
    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G3-B
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 100kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DRA2143E0L
    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G3-B
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DRC2114Y0L
    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G3-B
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100