Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения IC(MAX) 50mA

    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Package / Case
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 66
  • RN2105CT(TPL3)
    TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: CST3
    • Мощность - Макс.: 50mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BCR 151T E6327
    TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-75, SOT-416
    • Тип корпуса: PG-SC-75
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 120MHz
    • Резистор базы (R1): 100kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 100kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN2108CT(TPL3)
    TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: CST3
    • Мощность - Макс.: 50mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN1108CT(TPL3)
    TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: CST3
    • Мощность - Макс.: 50mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN2112CT(TPL3)
    TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: CST3
    • Мощность - Макс.: 50mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DTA014EMT2L
    TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-723
    • Тип корпуса: VMT3
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 35 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN2113CT(TPL3)
    TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: CST3
    • Мощность - Макс.: 50mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DTC114EMT2L
    TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-723
    • Тип корпуса: VMT3
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DTC114ECAT116
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SST3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DTC124XETL
    TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-75, SOT-416
    • Тип корпуса: EMT3
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 68 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DTA114EMT2L
    TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-723
    • Тип корпуса: VMT3
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN1104CT(TPL3)
    TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: CST3
    • Мощность - Макс.: 50mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DTA124XKAT146
    TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SMT3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 68 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN2107CT(TPL3)
    TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: CST3
    • Мощность - Макс.: 50mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DTA114EEBTL
    TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-75, SOT-416
    • Тип корпуса: EMT3
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100